??
客服熱線：0551-62672521 業務咨詢：0551-62672521 郵箱：2268263116@qq.com
媒體合作： 
??在線客服：
Copyright (c) 2012 機電產品交易網 . 版權所有 皖ICP備12004440號-2
近期,紫光集團官網發布:由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(以下簡稱“項目”),在武漢東湖高新區正式動工建設。該項目總投資240億美元,主要生產存儲器芯片,總占地面積1968畝,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑,項目一期計劃2018年建成投產,2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
存儲芯片是集成電路的三大品類之一,廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域,其銷售額占據整個芯片產業的比重超過25%,其技術能充分反映一個國家或地區的半導體發展水平。根據賽迪顧問的數據,2014年中國存儲芯片市場規模達到2465.5億元,占國內集成電路市場份額的23.7%。國內存儲芯片幾乎100%來自進口,每年進口存儲芯片的金額高達600億美元。根據Trendforce的數據,2016年Q3三星電子在全球DRAM存儲器領域的份額高達50.2%,SK海力士占24.8%的份額;三星電子在全球NAND FLASH領域的市場份額為36.6%,SK海力士占10.4%的份額。
項目將以存儲芯片制造環節為突破口,形成涵蓋存儲器芯片設計、制造、封裝測試、技術研發等全產業鏈的IDM模式,為國內電子信息產業的轉型升級提供有效支撐。我們認為,項目的啟動將實現國產存儲器芯片從0到1的突破,填補國內存儲器產業的空白,表明國家集成電路產業發展戰略在存儲器芯片領域落地,將有效保障國家信息安全。
從日、韓半導體發展歷程上看,日本政府在1976~1979年組織了5家最大的半導體制造商形成集成電路研究團隊,并投入大量資金和人力,于1980年研制出64KDRAM存儲器(比美國早半年)和256KDRAM存儲器(比美國早2年);20世紀80年代末的韓國政府以存儲器作為突破口,形成“官民一體”的DRAM存儲器研發小組,投入大量資源突破存儲器技術,1994年三星電子在全球率先推出256M DRAM,隨后韓國半導體產業便超越日本成為世界第一。
目瞄準存儲器新興領域中的3D NAND Flash,通過與飛索半導體合作、集中資源進行先進存儲器技術攻關,將有望加速突破技術瓶頸。3D NAND FLASH作為一種新興的存儲器技術,其演進邏輯是依靠三維芯片堆疊而不僅是工藝制程縮小,相比2D NAND FLASH擁有體積更小、容量更大、成本更低等優勢。我們認為,項目以3D NAND Flash存儲器作為突破口,起點高、投資力度大,在國家的大力支持下,有望突破存儲器相關的技術瓶頸并實現量產。
項目的建設將帶動國內半導體設備、材料產業發展
