國產半導體參數分析儀

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品牌：	普賽斯儀表
單價：	1000.00元/臺
起訂：	1 臺
供貨總量：	10000 臺
所在地：	湖北武漢市
有效期至：	長期有效
最后更新：	2022-07-21 13:52

公司基本資料信息

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產品詳細說明

國產半導體參數分析儀可測項目

集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces

集電極-發射極飽和電壓Vce sat

集電極電流Ic，集電極截止電流Ices

柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th)

柵極電阻Rg

電容測量

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯國產半導體參數分析儀特點和優勢：

單臺Z大3000V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；

10us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六

產品參數

項目		參數
集電極-發射極	Z大電壓.	3000V
	Z大電流	1000A
	精度	0.10%
	漏電流測試量程	1uA~100mA
柵極-發射極	Z大電壓.	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.10%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA

普賽斯國產半導體參數分析儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

選擇普賽斯儀表的理由：
1、國產自主研發
      技術雄厚，多項磚利，自主可控
2、可定制化方案
      聚焦鮮進器件，提供成熟可落地定制化方案
3、對標進口
      國貨精品，品質保障，對標進口產品

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